事件

10月28日，浙江湖州开发区与中国科学院上海硅酸盐研究所就碳化硅晶体项目正式签约，这标志着长三角首个碳化硅产业化项目落户湖州。

项目背景

世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国jia层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件，如德国的英飞凌半导体公司，美国的Cree公司、通用电子公司、摩托罗拉公司，日本的丰田、东芝、日立、富士等公司。

丰田在今年开展碳化硅功率半导体的路面测试已经进行，搭配车型为凯美瑞Hybrid原型车和燃料电池大巴。测试将评估碳化硅技术的性能，它将有可能使得混合动力汽车和电动汽车的效率大幅提升。

 项目简介

碳化硅晶体作为第三代半导体，在新型电机电子器件、高效半导体照明、军用器械等领域，具有广泛的应用和巨大的市场。此次落户湖州开发区的碳化硅晶体研发和产业化项目，将立足全球战略眼光，努力建成国内zui先进、具有国际影响力的碳化硅晶体制备技术研发和产业化基地。

技术支持

国内从事SiC晶体研制的研究所和高校主要有中科院物理所、上海硅酸盐研究所、山东大学、西安理工大学、中国电子科技集团第四十六所等。

中国科学院上海硅酸盐研究所作为国内科研水平zui高的研究机构之一，具有基础研究、应用研究、工程化研究、产业化为一体的完备科研体系，特别是在碳化硅晶体研究领域处于国内zui前沿。

小贴士

碳化硅器件是同等硅器件耐压的10倍

碳化硅肖特基管耐压可达2400V。

碳化硅场效应管耐压可达数万伏，而通态电阻并不很大。

已用SiC材料制作出普通晶闸管、双极晶体管(BJT)、IGBT、功率MOSFET、PN结二极管(300K温度下耐压达4 5kV)和肖特基势垒二极管(300K温度下耐压达1kV)。

SiC是目前发展相当成熟的宽禁带半导体材料，作为Si和GaAs的重要补充，可制作出性能更加优异的高温(300～500℃)、高耐压、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。